图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2N6609G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 16A 140V 150W PNP

内部编号

277-2N6609G

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2N6609G产品详细规格

规格书 2N6609G datasheet 规格书
Status Obsolete
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 PNP
集电极 - 基极电压VCBO 160 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 140 V
发射极 - 基极电压VEBO 7 V
集电极 - 发射极饱和电压 140 V
集电极最大直流电流 16 A
直流集电极/增益hfe最小值 15
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-204-2 (TO-3)
连续集电极电流 16 A
最大功率耗散 150 W
最低工作温度 - 65 C
封装 Tray
工厂包装数量 100
寿命 Obsolete

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